型号：F6406
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　连续漏极电流（Id）：70A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：280A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.018Ω @ Vgs=10V, Id=35A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.023Ω @ Vgs=4.5V, Id=35A
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220 / DPAK (TO-252)

F6406采用先进的沟道MOSFET工艺设计，在保持低导通电阻的同时实现了优异的开关特性。其核心优势之一是极低的Rds(on)，在Vgs=10V条件下仅为18mΩ，这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，提高了电源系统的整体效率。对于需要处理高瞬态电流的应用场景，例如电机启动或电源浪涌期间，F6406能够承受高达280A的脉冲漏极电流，表现出卓越的动态负载适应能力。该器件的栅极电荷（Qg）典型值为70nC，较低的Qg意味着驱动电路所需提供的能量更少，从而减少了驱动IC的负担，并允许更高的开关频率运行，适用于现代高频DC-DC变换器拓扑结构如同步整流Buck或Boost电路。
　　F6406具备良好的热稳定性，最大结温可达+175°C，结合其200W的最大功耗能力，使其能够在高温环境下长期可靠运行。器件的封装形式（TO-220或DPAK）提供了优良的散热路径，尤其适合焊接在带有散热片的PCB上使用。此外，其体二极管具有较快的反向恢复时间（trr），通常在数十纳秒级别，有效抑制了在感性负载关断时产生的电压尖峰，减少了电磁干扰（EMI）风险，并提升了系统安全性。该MOSFET还具备雪崩能量额定值（EAS），表明其在过压或瞬态条件下具有一定的自我保护能力，增强了在恶劣工况下的鲁棒性。
　　在制造工艺方面，F6406遵循严格的品质控制标准，符合RoHS环保要求，并通过AEC-Q101车规级认证的部分版本可用于汽车电子系统。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）确保了在极端环境下的稳定性能，无论是寒冷的户外设备还是高温的发动机舱内应用都能胜任。此外，该器件对dv/dt和di/dt具有较强的抗扰度，不易发生误触发或寄生导通现象，进一步提升了系统的可靠性。总体而言，F6406是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适用于对效率、尺寸和热管理有严格要求的中高功率开关应用场合。

F6406广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流模块以及便携式设备的电源管理系统。在电机驱动领域，该器件可用于直流电机、步进电机或伺服系统的H桥驱动电路中，凭借其低导通电阻和高电流承载能力，能够有效减少发热并提升驱动效率。在光伏逆变器和UPS不间断电源等新能源与备用电源设备中，F6406作为关键开关元件参与能量转换过程，支持高效稳定的电力输出。此外，它也常见于电动工具、电动自行车控制器、车载充电机（OBC）以及其他汽车电子功率模块中，特别是在需要频繁启停和大电流切换的应用中表现出色。工业自动化设备如PLC、变频器和电源模块同样大量采用此类高性能MOSFET以满足严苛的运行条件。消费类电子产品如高端游戏主机、笔记本电脑电源板以及LED照明驱动电源中，F6406也被用作主开关或同步整流开关，帮助实现小型化和高能效的设计目标。

NTD6406N-D
　　FQP6406