类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：5A（在25℃时）
　　功耗(Pd)：50W
　　导通电阻(Rds(on))：约1.5Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、DPAK等

F5N65 MOSFET具有多项显著的电气和物理特性，适合多种高功率应用。首先，它的高漏源击穿电压（650V）使其适用于高压开关电路，例如在AC-DC电源转换器中作为主开关元件。其次，F5N65具备相对较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。
　　此外，该器件在高温下的稳定性良好，能够在-55℃到+150℃的温度范围内正常工作，这使其适用于恶劣环境条件下的工业设备和汽车电子系统。F5N65还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，从而提升电源转换效率。
　　该MOSFET的封装形式（如TO-220或DPAK）便于散热和安装，有助于提高整体系统的可靠性和热管理性能。TO-220封装具有较大的散热片，适合高功率密度设计，而DPAK则适用于表面贴装工艺，适合紧凑型PCB布局。

F5N65 常用于多种电力电子系统中，作为核心开关元件。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC降压或升压转换器、LED驱动电源以及电机控制电路。其高耐压特性使其在工业自动化设备、UPS不间断电源和光伏逆变器中也有广泛应用。
　　在开关电源中，F5N65 可作为主功率开关，负责将高压直流电压转换为高频交流信号，再通过变压器进行电压变换。在DC-DC转换器中，该器件用于高效地调节输出电压，适用于电池供电系统和车载电子设备。
　　此外，F5N65 还可用于LED照明驱动器，特别是在高功率LED灯具中，以实现恒流控制和高效的能量转换。在电机控制和H桥电路中，它可作为功率开关元件，控制电机的正反转及速度调节。

FQA5N65C, IRF840, FDPF5N65FS, STF5N65M5