电容值：88pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：0805（2012公制）
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni/Sn）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ 或 RC ≥ 500 S（取较小值）
　　介质材料：钡钛酸盐基陶瓷（Class II）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　产品系列：F5CH
　　包装形式：卷带（Tape and Reel）

F5CH-881M50-L2AV-R采用X7R型II类陶瓷介质，具备优异的温度稳定性和电容保持能力，在-55°C到+125°C的宽温区间内，电容值漂移控制在±15%以内，适用于对温度敏感的模拟和高频信号处理电路。其88pF的标称电容值配合±20%的容差，满足多种射频匹配和滤波设计需求，尤其适合用于LC谐振电路中的精确调谐环节。该电容器在高频下表现出极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），显著降低功率损耗并提升电路Q值，从而增强系统的整体能效和信号完整性。
　　该器件采用先进的多层结构设计，内部电极交替堆叠，提高了单位体积内的有效电容密度，同时增强了机械强度和抗热冲击能力。其0805（2012）小型表面贴装封装便于自动化贴片生产，兼容回流焊工艺，适用于高密度印刷电路板布局。镍阻挡层与锡镀层端子设计有效防止银离子迁移，提升了长期使用的可靠性，特别是在潮湿、高温等恶劣环境中表现稳定。此外，该产品通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TC）、耐焊接热等试验，确保在复杂工况下的寿命和稳定性。
　　F5CH-881M50-L2AV-R符合国际环保标准，不含铅和其他有害物质，符合RoHS和REACH指令要求。其低电感结构使其在GHz级射频应用中仍能保持良好性能，广泛应用于无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、蜂窝基站）、高速数字接口去耦、DC-DC转换器旁路电容以及传感器信号调理电路中。凭借TDK-EPCOS在被动元件领域的技术积累，该型号在一致性、批量稳定性和供货保障方面具有明显优势，是工业级和汽车电子设计中的优选元件之一。

F5CH-881M50-L2AV-R主要用于需要高稳定性和高频性能的电子电路中。典型应用场景包括射频识别（RFID）系统中的阻抗匹配网络，用于优化天线与收发芯片之间的能量传输效率；在无线通信设备如基站前端模块、移动终端射频前端中，作为滤波器或放大器输入输出端的耦合电容，确保信号通带平坦且插入损耗最小化。
　　在电源管理系统中，该电容器可用于高频开关电源（如DC-DC转换器）的输入/输出滤波，利用其低ESR特性有效抑制纹波电压，提升电源纯净度。同时，由于其快速响应能力和良好的瞬态负载适应性，也常被用作微处理器、FPGA或ASIC芯片的去耦电容，消除高频噪声干扰，保障核心器件稳定运行。
　　在工业控制与自动化领域，F5CH-881M50-L2AV-R可用于传感器信号调理电路中的定时或相位补偿元件，例如在振荡器、锁相环（PLL）或ADC驱动电路中提供精确的时间常数。此外，在汽车电子系统中，该器件可应用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块以及车身控制单元，满足AEC-Q200对车规级被动元件的严苛要求。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该电容凭借其小尺寸和高性能特点，广泛用于摄像头模组、音频线路滤波、USB高速数据线保护等场合。其稳定的电气特性和长期可靠性使其成为各类高密度、高性能PCB设计中的关键元件。

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