F5402DM 时间：2025/8/25 3:36:17 阅读：28

F5402DM 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等场景。F5402DM 采用先进的平面沟槽工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：4.7A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.044Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~2.5V
　　最大功率耗散（PD）：1.4W
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

F5402DM 以其优异的电气特性和高可靠性在功率电子设计中占据重要地位。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在 VGS=10V 的条件下，RDS(on) 仅为 0.044Ω，这使得它在中高功率应用中表现良好。
　　其次，F5402DM 采用了 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在高温度环境下工作。该封装形式也便于 PCB 安装和散热管理。
　　此外，该器件具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流（ID）方面可达 4.7A，适用于中等功率的开关应用。其快速开关特性也有助于降低开关损耗，提高整体系统性能。
　　最后，F5402DM 的栅极阈值电压范围较宽（1V~2.5V），兼容多种驱动电路，包括常见的逻辑电平驱动器。这使得其在设计灵活性方面具有优势，可应用于多种控制场景。
　　综上所述，F5402DM 是一款性能稳定、适用性广泛的 N 沟道功率 MOSFET，适用于各类中低功率电源管理和功率控制应用。

应用

F5402DM 常用于以下类型的应用：电源管理系统中的负载开关、DC-DC 升压或降压转换器、电池供电设备的功率控制、电机驱动电路、LED 驱动器以及各类工业自动化控制设备。其低导通电阻和高效率特性使其特别适合用于需要节能和高稳定性的应用，如笔记本电脑电源管理模块、便携式电子设备、智能家电和嵌入式系统等。此外，该器件还可用于电源逆变器、UPS（不间断电源）系统以及光伏系统中的功率控制部分。