F50L4G41XB是一款由富士通(Fujitsu)制造的高性能、低功耗NAND闪存芯片,广泛应用于需要大容量存储和高速数据读写的设备中。该芯片具有4GB的存储容量,并支持x8接口模式,适用于多种嵌入式系统和消费类电子产品。
存储容量:4GB
接口类型:x8 NAND
电压范围:2.3V - 3.6V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:TSOP
读取速度:最高可达50MB/s
写入速度:最高可达20MB/s
擦除次数:10万次以上
F50L4G41XB具备出色的可靠性和耐用性,其采用先进的CMOS工艺制造,确保了在各种恶劣环境下的稳定运行。此外,该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够自动检测并纠正数据错误,提高了数据存储的安全性。
F50L4G41XB还具备良好的兼容性,支持多种主流控制器,使其能够轻松集成到现有系统中。其低功耗设计使得在电池供电设备中的应用更加广泛,有助于延长设备的续航时间。
该芯片内置的坏块管理功能可以有效识别和隔离损坏的存储区块,从而防止数据丢失或损坏。同时,它还支持硬件写保护功能,可以在物理层面上防止意外的数据写入或擦除操作。
F50L4G41XB被广泛应用于智能手机、平板电脑、数字相机、固态硬盘(SSD)、工业控制设备以及车载导航系统等多种电子设备中。由于其高容量和高性能的特点,特别适合用于需要频繁读写操作的应用场景。
S34ML04G200TFI00, K9F4G08U0C