时间：2025/8/9 9:28:40
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F5024是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）设计和生产的双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件主要面向高效率、高频开关应用，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关及马达控制等领域。F5024采用小型化的封装设计，具有优良的导通特性和较低的开关损耗，适用于便携式电子设备和紧凑型电源系统。
类型：MOSFET（双N沟道）
最大漏极电流（ID）：4A（单通道）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TSSOP（8引脚）
功率耗散：1.4W（最大）
F5024的主要特性包括低导通电阻、高速开关性能以及低栅极电荷。这些特性使得该器件在高频开关应用中表现出色，能够显著降低开关损耗，提高整体效率。此外，F5024的双通道设计允许在单个封装内实现两个独立的MOSFET操作，从而节省PCB空间并简化电路设计。其封装形式适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
F5024的热阻较低，具备良好的热稳定性，能够在较高功率密度的环境中可靠运行。同时，其栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的栅极驱动电压，因此可以与多种控制器和驱动器兼容。
F5024广泛应用于各类电源管理系统中，如同步整流器、DC-DC降压和升压转换器、电池充电电路以及负载开关控制。此外，该器件还适用于便携式电子产品中的功率管理模块，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源转换电路。由于其小型化封装和高效率特性，F5024也常用于工业自动化设备、电机驱动系统和嵌入式控制系统中。
FDS5024、FDS5024A、Si4800BDY、IRLML6402、AO4406
