F5018 时间：2025/8/9 11:44:44 阅读：28

F5018 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件设计用于高效率、高频开关应用，具有低导通电阻和高耐压能力，适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器等电路。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：80A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK

特性

F5018 具有极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。F5018 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供更高的电流密度和更强的电流承载能力。其高雪崩能量耐受能力增强了器件在突变负载条件下的可靠性。
　　该 MOSFET 还具有出色的封装散热性能，有助于在高功率密度设计中保持较低的结温。F5018 的封装形式包括 TO-220 和 D2PAK，适用于多种 PCB 安装和散热方案。由于其优异的电气和热性能，F5018 成为许多高功率、高频应用的理想选择。

应用

F5018 常用于各种电源管理电路中，如同步整流的 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达驱动电路、电源供应器、UPS 系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效率和高功率密度的设计中。此外，F5018 也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等，以提高能效和可靠性。