时间：2025/8/24 22:59:09
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F4N50是一种常用的N沟道功率MOSFET，广泛用于各类电源和功率转换器中。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性等特点，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：4A（连续）
导通电阻(Rds(on))：≤3.5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等
F4N50 MOSFET具有良好的开关性能和耐高温能力，能够在高频开关条件下保持稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的封装设计便于散热，适用于高功率密度的应用场景。F4N50还具备较高的抗雪崩击穿能力，提高了器件在恶劣工作条件下的可靠性。
该MOSFET的栅极驱动特性良好，能够在较宽的栅压范围内实现快速开关，从而降低开关损耗。其TO-220封装形式适用于多种PCB安装方式，而TO-252（DPAK）封装则更适合表面贴装技术（SMT），适用于自动化生产流程。
在设计方面，F4N50的输入电容较小，有助于降低驱动电路的负载，同时输出电容较低，有利于减少开关过程中的能量损耗。其反向恢复时间短，适用于需要快速切换的电路环境。
F4N50常用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电器、LED驱动电源、逆变器、电机控制电路以及各种需要高压高电流开关能力的电子系统中。
F5N50、F4N60、IRF840、K2645、FQA4N50C
