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F4035BDC 发布时间 时间:2025/8/24 13:10:25 查看 阅读:14

F4035BDC 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换系统,适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电源管理单元等应用。其主要优势在于低导通电阻(RDS(on))和较高的功率处理能力,使其在高频开关应用中表现出色。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID):12A(最大)
  RDS(on):最大 15mΩ(典型值 12mΩ)@ VGS=10V
  功率耗散(PD):40W
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装形式:DPAK(TO-252)

特性

F4035BDC 的最大特点是其极低的导通电阻 RDS(on),这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其 12A 的漏极电流能力使其适用于中高功率的应用。此外,该器件具备良好的热稳定性和高耐压能力,使其在高温环境下仍能稳定工作。
  这款 MOSFET 采用先进的沟槽式工艺制造,提供更优的开关性能和更高的集成度。此外,其 ±20V 栅源电压耐受能力提供了良好的抗过压能力,使得其在使用过程中对驱动电路的要求相对宽松。
  在封装方面,F4035BDC 使用 DPAK(TO-252)封装,具有良好的散热性能,适用于表面贴装工艺,便于在 PCB 上进行安装和焊接。这种封装形式也有助于提高器件的机械强度和可靠性。

应用

F4035BDC 广泛应用于多种电源管理系统和功率转换设备中。常见的应用场景包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及各种便携式电子设备的电源控制部分。
  由于其低导通电阻和良好的热性能,该器件特别适用于需要高效能、高稳定性的开关电源应用。在工业自动化、汽车电子、通信设备以及消费类电子产品中都能找到其应用案例。此外,在需要快速开关和低功耗的应用中,如马达控制、LED 照明调光电路、以及智能电源分配系统中,F4035BDC 也表现优异。

替代型号

FDN335N, FDS4410, IRF7413, Si4410DY

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