类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：32A（在25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.085Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-263

F32N20 MOSFET具有多项优良的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（200V）使其适用于中高压功率转换系统，能够承受较高的瞬态电压冲击。其次，导通电阻RDS(on)较低，最大值约为0.085Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备较高的连续漏极电流能力（32A），可在高负载条件下稳定运行。
　　该MOSFET采用了先进的制造工艺，确保了良好的热稳定性和可靠性。其封装形式（如TO-220或TO-263）提供了良好的散热性能，能够在高功率应用中有效散发热量，延长器件使用寿命。F32N20还具备快速开关特性，适用于高频开关电源设计，有助于减小电源模块的体积并提高转换效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种常见的MOSFET驱动电路。同时，F32N20具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高开关速度。这些特性使得F32N20在高性能电源转换、工业控制和电机驱动等应用中表现出色。

F32N20广泛应用于各类功率电子系统中，主要包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、电池充电器和UPS（不间断电源）系统等。由于其高电流能力和低导通电阻，它特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统，例如工业自动化设备、电动车充电模块、太阳能逆变器以及智能电网设备。此外，该MOSFET也可用于负载开关、电源管理模块和各类功率放大电路。

FQPF32N20、IRF32N20、FDPF32N20、STP32N20