F32-100HIP 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业电源、逆变器、变频器以及电机控制等高功率电子系统中。该模块结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势,具有良好的开关性能和导通特性。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):100A
最大工作温度:150℃
封装形式:HIP(High Power)
短路耐受能力:有
栅极驱动电压范围:±20V
导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值)
热阻(Rth):0.35K/W(典型值)
F32-100HIP 模块具备出色的热管理和高可靠性,适用于高功率密度设计。其采用的HIP封装形式具备良好的散热性能和机械稳定性,确保模块在高温环境下仍能稳定工作。模块内部集成了多个IGBT芯片并联结构,以提高电流承载能力和均流性能,同时降低热应力对器件寿命的影响。
该模块具有较低的导通压降和快速的开关特性,有助于减少功率损耗,提高系统效率。此外,它具备一定的短路耐受能力,能够在瞬态故障条件下提供更高的系统安全性。F32-100HIP 还采用了优化的内部布局设计,以降低电磁干扰(EMI),提高系统稳定性。
模块的封装设计符合RoHS环保标准,支持工业级应用的可靠性要求。其引脚设计便于安装和焊接,适用于自动贴片工艺,提高了生产效率和装配一致性。
F32-100HIP 常用于各种高功率电力电子设备中,包括工业变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊机、感应加热设备以及电动汽车充电系统等。由于其高可靠性和良好的热性能,它也适用于需要高效率和紧凑设计的电机驱动和能量转换系统。
在工业自动化领域,该模块可用于构建高性能的电机控制平台,实现精确的速度和转矩控制。在可再生能源系统中,例如光伏逆变器和储能变流器,F32-100HIP 能够提供稳定的功率转换性能,支持高效能源管理。此外,在轨道交通和电动汽车领域,该模块可作为电驱系统的核心功率器件,满足高功率密度和高可靠性的设计要求。
F32-100HIEC、F32-100HEDT、FZ600R12KE3、FF100R12KS4P