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F25NM60N 发布时间 时间:2025/7/22 16:52:39 查看 阅读:4

F25NM60N是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面条形技术,具有较低的导通电阻和较高的雪崩能量承受能力,适用于工业电源、DC-DC转换器、马达控制和消费类电子设备中的高效率开关电路。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id)@25°C:25A
  漏源导通电阻(Rds(on)):最大值0.22Ω(典型值0.18Ω)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
  最大功耗(Ptot):300W
  工作温度范围:-55°C~150°C
  封装形式:TO-220、TO-220FP、D2PAK等

特性

F25NM60N具有多项优异特性,包括高耐压能力(600V Vds),适用于高电压应用;低导通电阻(Rds(on))确保较低的导通损耗,提高系统效率;具备高雪崩能量承受能力,增强器件在恶劣工作环境下的可靠性;该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(2V~4V),适用于多种驱动电路设计。此外,其封装形式多样(如TO-220和D2PAK),便于在不同的散热条件下使用,提高设计灵活性。
  F25NM60N还具有良好的热稳定性,在高功率工作条件下不易发生热失控,适用于持续高负载工作场景。该器件的制造工艺优化了开关性能,降低了开关损耗,有助于提高整体能效。同时,其抗短路能力较强,能够在异常工况下提供更好的保护性能。

应用

F25NM60N广泛应用于多种高功率和高电压的电子系统中,如工业电源、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和UPS(不间断电源)系统。此外,它也常用于消费类电子产品中的功率控制电路,例如空调、洗衣机和其他高功率家电的电机控制模块。在新能源领域,该MOSFET可用于太阳能逆变器或储能系统的功率转换电路,以实现高效能的能量管理。

替代型号

FQA24N60C、2SK2148、STW25NM60ND、IRFBC40、F24N60

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