时间：2025/7/22 16:52:39
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F25NM60N是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面条形技术，具有较低的导通电阻和较高的雪崩能量承受能力，适用于工业电源、DC-DC转换器、马达控制和消费类电子设备中的高效率开关电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）@25°C：25A
漏源导通电阻（Rds(on)）：最大值0.22Ω（典型值0.18Ω）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
最大功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C~150°C
封装形式：TO-220、TO-220FP、D2PAK等
F25NM60N具有多项优异特性，包括高耐压能力（600V Vds），适用于高电压应用；低导通电阻（Rds(on)）确保较低的导通损耗，提高系统效率；具备高雪崩能量承受能力，增强器件在恶劣工作环境下的可靠性；该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（2V~4V），适用于多种驱动电路设计。此外，其封装形式多样（如TO-220和D2PAK），便于在不同的散热条件下使用，提高设计灵活性。
F25NM60N还具有良好的热稳定性，在高功率工作条件下不易发生热失控，适用于持续高负载工作场景。该器件的制造工艺优化了开关性能，降低了开关损耗，有助于提高整体能效。同时，其抗短路能力较强，能够在异常工况下提供更好的保护性能。
F25NM60N广泛应用于多种高功率和高电压的电子系统中，如工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和UPS（不间断电源）系统。此外，它也常用于消费类电子产品中的功率控制电路，例如空调、洗衣机和其他高功率家电的电机控制模块。在新能源领域，该MOSFET可用于太阳能逆变器或储能系统的功率转换电路，以实现高效能的能量管理。
FQA24N60C、2SK2148、STW25NM60ND、IRFBC40、F24N60
