F2104TE20 时间：2025/9/7 0:56:30 阅读：6

F2104TE20 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件主要用于高功率应用，如电源转换器、马达驱动器和逆变器。F2104TE20采用TO-247封装，具备较高的电流和电压耐受能力，适合工业和高可靠性环境下的使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：200A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.2mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

F2104TE20TE20具备低导通电阻特性，这有助于降低功率损耗并提高效率。其低RDS(on)值使得该器件在高电流条件下仍能保持较低的温升，从而提高系统的整体稳定性。
　　此外，F2104TE20设计有较高的热稳定性，能够承受较大的热应力，适用于高功率密度设计。该MOSFET还具有快速开关能力，适合高频应用，从而减小外围元件的尺寸并提高系统的响应速度。
　　这款功率晶体管还具备过载和短路保护能力，在一定程度上增强了系统的可靠性。TO-247封装提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持器件的稳定运行。

应用

F2104TE20广泛应用于各种电力电子设备中，包括直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器和不间断电源（UPS）系统。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的工业自动化设备和电动汽车充电系统。
　　此外，F2104TE20也可用于太阳能逆变器和储能系统，以提高能量转换效率并减少发热损耗。在电动汽车领域，该MOSFET可用于车载充电器和电驱系统，以满足高功率需求的同时保持较小的体积和重量。
　　在工业控制和自动化设备中，F2104TE20可作为高功率开关使用，实现对大功率负载的精确控制。其高可靠性和热稳定性使其成为恶劣工业环境中的理想选择。