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F1H1H822A970 发布时间 时间:2025/5/7 12:31:22 查看 阅读:17

F1H1H822A970是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供卓越的效率和可靠性。
  这款器件通过优化设计,能够显著降低传导损耗并提升整体系统性能。同时,其封装形式紧凑,适合在空间受限的设计中使用。

参数

类型:MOSFET
  导电类型:N沟道
  耐压:60V
  最大电流:40A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:25nC
  开关频率:最高500kHz
  封装形式:TO-220

特性

F1H1H822A970的主要特点是其低导通电阻(Rds(on))仅为3.5mΩ,这使得它非常适合用于要求高效能转换的应用场景。此外,该芯片具备较高的击穿电压(60V),可以承受较大的瞬态电压冲击。
  在动态性能方面,它的栅极电荷较小(25nC),因此在高频工作时仍然保持较低的开关损耗。这种高效的开关能力使它成为诸如DC-DC转换器和电机控制等应用的理想选择。
  此外,F1H1H822A970采用了标准的TO-220封装,这种封装形式不仅散热性能良好,还便于安装和维护。对于需要较大功率输出且对热管理有较高要求的应用来说,这一特点显得尤为重要。

应用

该芯片广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  - 开关电源(SMPS)
  - 电机驱动和控制
  - 负载开关
  - 电池管理系统(BMS)
  - LED驱动电路
  由于其优异的电气特性和可靠性,F1H1H822A970特别适用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的功率转换和分配环节。

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