类型：肖特基二极管
　　配置：单个
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：160V
　　平均整流电流（IO）：3A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A
　　最大正向压降（VF）@ 3A：1.7V
　　最大反向漏电流（IR）@ 125°C：1.0mA
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 30ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　热阻结到壳（RθJC）：3.0°C/W
　　热阻结到环境（RθJA）：50°C/W

F160C3TD的核心特性之一是其低正向导通压降，在3A电流下典型值仅为1.7V，显著低于传统硅PN结二极管，从而大幅减少导通损耗，提高系统整体能效。这一优势在低压大电流输出的DC-DC变换器中尤为关键，有助于降低温升，提升功率密度。同时，由于肖特基势垒结构本身不具备少数载流子存储效应，该器件展现出极短的反向恢复时间（trr < 30ns），几乎无反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关电路中可有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），改善开关节点波形质量，减少对主开关管（如MOSFET）的应力冲击，延长器件寿命。
　　该二极管具备良好的热稳定性与散热能力，采用TO-252（DPAK）封装，底部带有金属焊盘，可通过PCB上的大面积铜箔实现高效热传导，有效降低结温上升速度，确保在持续高负载条件下稳定运行。其额定平均整流电流为3A，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，适应严苛的工业与车载环境。此外，F160C3TD具有较低的反向漏电流，在125°C高温下最大仅为1.0mA，虽然相较于普通硅二极管略高，但在同类肖特基产品中处于合理水平，不会显著影响待机功耗或轻载效率。
　　该器件通过AEC-Q101汽车级可靠性认证的可能性较高（需查证具体数据手册），适用于对可靠性和耐久性要求较高的应用场景。其封装设计兼容自动贴片设备，支持回流焊工艺，适合现代SMT生产线，提升制造效率与良率。总体而言，F160C3TD结合了高性能、高可靠性与良好的可制造性，是一款面向中功率开关电源领域的理想选择。

F160C3TD广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其适合作为次级侧同步整流或非同步整流二极管使用，常见于AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电脑电源、LED驱动电源等消费类电子设备。在这些应用中，它承担着将高频交流脉冲转换为直流电压的关键任务，凭借其低正向压降和快速响应特性，显著提升电源转换效率，满足能源之星或CoC Tier 2等能效规范要求。此外，该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器中的续流二极管（flyback diode），在MOSFET关断期间提供电感电流续流通路，防止电压反冲损坏主控芯片。
　　在工业控制领域，F160C3TD可用于PLC电源模块、传感器供电单元及电机驱动电路中的极性保护与反接保护功能，防止因电源反接导致设备损坏。其坚固的封装结构和宽温度范围使其能在恶劣工业环境中长期稳定运行。在通信基础设施中，该二极管可作为电信设备板卡上的局部电源整流元件，支持48V转低压系统的辅助电源设计。此外，由于其具备一定的浪涌承受能力（50A非重复峰值电流），也可在瞬态过流事件中提供一定程度的保护作用，增强系统鲁棒性。总之，F160C3TD凭借其综合性能优势，成为多种中等功率电力电子系统中不可或缺的基础元器件。

SB160, MBR340, B340A, SS34, MBRS340T3G, F160C3TA