型号：F15NM60N
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大漏极电流（Id）：15 A（连续）
　　导通电阻Rds(on)：典型值约1.0 Ω（具体视Vgs条件而定）
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：3.0 ~ 5.0 V
　　最大功耗（Ptot）：约125 W（取决于散热条件）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220FP
　　型号：2SK4087
　　制造商：Renesas Electronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：12 A（连续）
　　导通电阻Rds(on)：典型值约1.2 Ω（在特定Vgs下）
　　栅极电荷（Qg）：较低，典型值约为50 nC
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　最大功耗（Ptot）：约75 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SIP-7

F15NM60N采用了先进的超级结（Super Junction）技术，这种结构显著降低了器件的导通电阻，同时保持了高击穿电压能力，从而实现了更高的效率和更小的能量损耗。其内部结构通过交替排列P型和N型柱状区域，有效提高了载流子迁移率，并减少了JFET效应带来的电阻增加问题。该MOSFET在高温环境下的稳定性表现优异，具备较强的抗雪崩能力和热循环耐久性，适用于长时间持续工作的工业级应用。此外，F15NM60N还具有较低的输入电容和输出电容，这有助于降低驱动损耗并提升开关速度，特别适合用于高频开关电源拓扑如LLC谐振变换器或有源钳位反激电路。由于其TO-220FP封装无铅且符合RoHS标准，因此也满足现代环保要求。器件还具备良好的短路耐受能力，在异常工况下可提供一定的保护作用，增强了系统的可靠性。
　　2SK4087则针对高性能电源系统进行了优化，尤其强调快速开关响应和低动态损耗。其核心特性之一是极低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这使得在高频操作时所需的驱动功率大幅下降，从而提升了整个电源系统的转换效率。该MOSFET采用先进的沟槽栅工艺制造，确保了均匀的电流分布和稳定的阈值电压特性。其SIP-7封装不仅提供了良好的散热路径，而且引脚布局经过优化，减少了寄生电感的影响，有利于抑制开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。2SK4087还具备出色的dv/dt抗扰度，能在复杂的电磁环境中保持稳定工作。另外，该器件对温度变化的敏感性较低，即使在负载波动较大的情况下也能维持一致的性能表现。这些特性使其成为高端服务器电源、通信电源及光伏逆变器等关键应用的理想选择。

F15NM60N主要用于各类高电压、中大功率的开关电源系统中，例如液晶电视电源、空调变频器、PC电源供应器以及工业用DC-DC转换模块。它也常见于PFC升压电路中，作为主开关管使用，能够有效提升功率因数并降低输入电流谐波含量。此外，该器件还可应用于太阳能微逆变器、LED驱动电源以及电动车充电设备中的辅助电源部分。由于其具备优良的热稳定性和长期可靠性，F15NM60N也被广泛用于需要长时间不间断运行的工业控制系统和医疗电源设备。
　　2SK4087则更多地被用于对效率和开关性能要求极高的场合，如数据中心服务器电源、高端UPS不间断电源、基站电源模块以及电信整流器等。其快速开关能力和低损耗特性使其在硬开关拓扑（如双管正激、半桥等）中表现出色。此外，2SK4087也可用于激光打印机高压电源、X射线发生器以及其他精密仪器的电源管理单元。由于其封装形式适合自动插件生产线，因此在大批量制造场景中具有装配优势。该器件还能胜任一些特殊应用，比如感应加热设备中的功率开关，或者作为高频变压器的驱动元件使用。

2SK4090
　　2SK4091
　　FQA15N60
　　IRFGB40
　　STW15NB60