类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.3mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247

EZJ-Z0V39013 的主要特性之一是其超低的导通电阻，这使得在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用了东芝先进的U-MOS VIII-H沟槽式工艺技术，不仅优化了Rds(on)，还提升了热稳定性和可靠性。
　　其次，该MOSFET具有优异的开关性能，包括快速的开关速度和低的开关损耗，这对于高频开关电源应用至关重要。其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）有助于减少驱动损耗和提高转换效率。
　　此外，EZJ-Z0V39013 采用了TO-247封装，具备良好的散热能力，适合高功率密度设计。该封装还提供了足够的机械强度和良好的焊接性能，适用于自动化装配流程。
　　该器件的额定工作温度范围宽广，从-55°C到+175°C，确保其在极端环境条件下仍能保持稳定工作，适用于工业级和汽车电子等高可靠性要求的应用场景。

EZJ-Z0V39013 主要应用于高效能的功率转换系统中，如服务器电源、电信电源、工业电源、DC-DC转换器、同步整流器、电机控制模块、电池管理系统（BMS）以及电动汽车的车载充电器（OBC）等。此外，该MOSFET也适用于高功率LED照明驱动器、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等需要高效率和高可靠性的场合。由于其优异的热性能和电气特性，该器件特别适合用于高密度功率模块和散热要求较高的设计中。

TKA120N60W5AQ, IPP120N6S4-03, SiR120DP