EZAEG2N50AX是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效率、低导通电阻以及快速开关性能的电路中。该器件采用了先进的制造工艺,使其在高频应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
该芯片适用于多种工业和消费类电子设备,包括但不限于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。其封装形式通常为TO-220或TO-247,便于散热和安装。
最大漏源电压:500V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:3.8A
导通电阻:1.6Ω
功耗:180W
工作温度范围:-55℃至+150℃
EZAEG2N50AX具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:支持高达500V的漏源电压,适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻:仅为1.6Ω,在大电流条件下能够有效降低功耗和发热。
3. 快速开关性能:优化了栅极电荷设计,从而实现了更快的开关速度和更高的工作效率。
4. 稳定性强:即使在极端温度条件下,也能保持稳定的电气性能。
5. 高可靠性:经过严格的质量控制流程,确保产品长期使用的可靠性。
这款MOSFET适用于多种领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 工业自动化控制
5. 消费类电子产品中的电源管理模块
6. 光伏逆变器和其他可再生能源相关设备
由于其出色的电气性能和稳定性,EZAEG2N50AX成为许多工程师设计高压电路时的首选元件。
IRF840A
FQA16N50C
STP36NF06L