类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：300mA
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：2.3nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

EX035M的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。在VGS=10V时，Rds(on)仅为1.2Ω，使其在低电压和中等功率应用中表现出色。此外，该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss）和反馈电容（Crss），有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到10V的VGS驱动，兼容多种驱动电路，包括常见的逻辑电平驱动器。其快速的上升和下降时间使其适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器等。
　　EX035M还具备良好的热稳定性和过温保护能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。SOT-23封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，使其适用于高密度PCB布局设计。
　　该MOSFET的可靠性较高，符合RoHS环保标准，并具备较强的抗静电能力和环境适应性，适合在多种工业和消费类电子产品中使用。

EX035M常用于各类电源管理电路中，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池保护电路。由于其低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和无线通信设备。
　　在DC-DC转换器中，EX035M可以作为高边或低边开关使用，配合电感、电容和控制器构成高效的降压或升压电路。其低功耗特性也有助于提升整体系统的能效，延长电池续航时间。
　　此外，EX035M还可用于LED驱动电路、马达控制、传感器电源开关以及各种低电压负载控制应用。其小尺寸封装也使其成为高密度PCB设计的理想选择。

Si2302DS, 2N7002, FDV301N, AO3400