时间：2025/8/12 17:55:59
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EWTS86JE11是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备中。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，以提供优异的导通性能和开关特性。其主要设计目的是在高电压和高电流环境下实现高效能的功率转换。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压（Vds）：800 V
连续漏极电流（Id）：11 A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45 Ω（最大值0.55 Ω）
栅极-源极电压（Vgs）：±30 V
最大工作温度：150 °C
封装类型：TO-220
EWTS86JE11 MOSFET的核心特性之一是其高击穿电压能力，使得它非常适合用于高压应用，例如电源供应器、马达控制以及工业自动化设备。该器件的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。
另一个显著特点是其快速开关能力，这归功于优化的内部结构设计，减少了开关过程中的能量损耗。这种特性特别适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和逆变器电路。同时，该器件的封装形式（TO-220）提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下依然能够保持较低的工作温度。
为了提高可靠性和耐用性，该MOSFET还集成了过热保护和过电流保护功能，使其在异常工作条件下能够自动关闭，从而避免损坏。这使得EWTS86JE11成为工业控制、消费类电子产品以及汽车电子系统中的理想选择。
EWTS86JE11广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统、马达驱动器、DC-DC转换器、逆变器、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的功率转换和稳定的性能，满足复杂电路设计的需求。
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