EVPAWBD2AY08 时间：2025/8/1 9:22:17 阅读：21

EVPAWBD2AY08 是 Vishay Semiconductors（威世科技）生产的一款高效能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、低导通电阻（RDS(on)）应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术，以实现更低的导通损耗和更快的开关速度，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电池供电设备等多种应用领域。EVPAWBD2AY08 具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在严苛的工业环境中稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.3mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：140W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerPAK? 8x8L

特性

EVPAWBD2AY08 MOSFET 的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和卓越的热管理性能。其导通电阻仅为 3.3mΩ，可显著降低在高电流应用中的功率损耗，提高整体效率。此外，该器件支持高达 80A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。
　　EVPAWBD2AY08 采用 PowerPAK? 8x8L 封装，具有出色的散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。该封装设计减少了封装电阻和电感，提高了器件的开关性能和热效率，适合在紧凑型 PCB 设计中使用。
　　该 MOSFET 还具有高栅极绝缘强度，支持 ±20V 的栅源电压，确保在不同工作条件下的稳定性和可靠性。其工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，适合在各种工业和汽车环境中使用。
　　此外，EVPAWBD2AY08 通过 AEC-Q101 认证，适用于汽车电子应用，确保在极端温度和振动条件下的性能稳定。

应用

EVPAWBD2AY08 MOSFET 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业自动化和汽车电子系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能电源管理和功率控制的理想选择。
　　在汽车电子中，该器件可用于车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统以及电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）中的功率控制模块。
　　在工业领域，EVPAWBD2AY08 可用于工业电源、伺服驱动器、UPS（不间断电源）系统、光伏逆变器以及各种高功率开关电源（SMPS）设计中。