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EVM3YSX50B54 发布时间 时间:2025/5/23 19:41:35 查看 阅读:15

EVM3YSX50B54 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等高效率电力转换应用。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低能量损耗并提升系统效率。
  这款芯片采用先进的半导体制造工艺,确保其在高温和高压环境下仍能保持稳定性能。同时,其紧凑的封装设计也使其非常适合空间受限的应用场景。

参数

类型:MOSFET
  最大漏源电压(Vds):50V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):54A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
  总栅极电荷(Qg):65nC
  输入电容(Ciss):4570pF
  输出电容(Coss):96pF
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

EVM3YSX50B54 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 高额定电流能力,适合大功率应用场景。
  3. 快速开关性能,有效降低开关损耗。
  4. 强大的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电子设备中。
  6. 高可靠性设计,经过严格的质量测试,适用于工业级和汽车级应用。

应用

EVM3YSX50B54 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动控制,包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
  3. 电池管理系统 (BMS),用于电动车和储能设备。
  4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  5. LED 照明驱动电路,提供高效稳定的电流输出。
  6. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关的功率转换系统。

替代型号

EVM3YSX50B40
  EVM3YSX50B60
  IRF540N
  FDP5800

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EVM3YSX50B54参数

  • 安装类型表面贴装
  • 容差±25%
  • 尺寸3.1 x 3.75 x 1.55mm
  • 接端样式焊垫
  • 最低工作温度-40°C
  • 最大电阻值50kΩ
  • 最高工作温度+100°C
  • 深度3.75mm
  • 温度系数±250ppm/°C
  • 转数1
  • 长度3.1mm
  • 额定功率0.15W
  • 高度1.55mm