EVM3YSX50B54 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等高效率电力转换应用。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低能量损耗并提升系统效率。
这款芯片采用先进的半导体制造工艺,确保其在高温和高压环境下仍能保持稳定性能。同时,其紧凑的封装设计也使其非常适合空间受限的应用场景。
类型:MOSFET
最大漏源电压(Vds):50V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):54A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
总栅极电荷(Qg):65nC
输入电容(Ciss):4570pF
输出电容(Coss):96pF
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至175℃
EVM3YSX50B54 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗,提高整体效率。
2. 高额定电流能力,适合大功率应用场景。
3. 快速开关性能,有效降低开关损耗。
4. 强大的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电子设备中。
6. 高可靠性设计,经过严格的质量测试,适用于工业级和汽车级应用。
EVM3YSX50B54 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动控制,包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
3. 电池管理系统 (BMS),用于电动车和储能设备。
4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
5. LED 照明驱动电路,提供高效稳定的电流输出。
6. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关的功率转换系统。
EVM3YSX50B40
EVM3YSX50B60
IRF540N
FDP5800