EVM3YSX50B35 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率转换模块,专为高频、高密度和高性能应用设计。该模块集成了驱动电路和保护功能,适用于电源适配器、快充设备以及工业电源等场景。其封装形式紧凑,适合空间受限的设计需求。
该器件采用先进的 GaN 场效应晶体管 (FET),具备低导通电阻和快速开关特性,可显著降低开关损耗并提高整体系统效率。
型号:EVM3YSX50B35
类型:GaN 功率转换模块
工作电压:10V - 600V
最大电流:35A
导通电阻:4mΩ(典型值)
开关频率:高达 2MHz
封装形式:QFN-8x8mm
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
保护功能:过流保护、过温保护
EVM3YSX50B35 的主要特性包括:
1. 高效性能:得益于氮化镓技术,该模块能够以极低的开关损耗和导通损耗实现高效的功率转换。
2. 快速开关能力:支持高达 2MHz 的开关频率,使设计师可以减少磁性元件的体积,从而缩小整体解决方案的尺寸。
3. 集成化设计:内置了驱动器和多种保护机制,简化了外部电路设计并提高了系统的可靠性。
4. 宽电压范围:支持从 10V 到 600V 的宽输入电压范围,适应多种应用场景。
5. 紧凑型封装:采用 QFN-8x8mm 封装,非常适合空间受限的应用环境。
EVM3YSX50B35 广泛应用于以下领域:
1. USB-PD 快充适配器
2. 开关模式电源 (SMPS)
3. 工业电机驱动
4. LED 照明驱动器
5. 通信电源
6. 消费类电子产品的高效电源管理解决方案
EVM3YSX50B30
EVM3YSX50B50