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EVM3GSX50BQ3 发布时间 时间:2025/5/7 15:34:31 查看 阅读:9

EVM3GSX50BQ3是一款高性能的MOSFET功率晶体管驱动评估模块,主要用于评估和测试IR(国际整流器公司)或其他类似制造商生产的高端和低端栅极驱动器IC的功能与性能。该模块广泛应用于电机控制、逆变器设计、开关电源以及各类工业驱动场景中。
  其设计目的是为工程师提供一个快速、便捷的开发环境,以便在实际应用前对驱动器IC进行详尽的功能验证和参数优化。通过该模块,用户可以轻松配置栅极驱动信号、监测输出波形并调整工作参数。

参数

型号:EVM3GSX50BQ3
  类别:MOSFET驱动评估模块
  最大输入电压:25V
  最大输出电流:峰值4A
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:板级模块
  输入阻抗:约10kΩ
  频率范围:最高支持1MHz

特性

EVM3GSX50BQ3具有以下关键特性:
  1. 高效的栅极驱动能力,适用于各种类型的MOSFET和IGBT。
  2. 内置保护功能,如欠压锁定(UVLO)、短路保护和过温关断等。
  3. 提供可调死区时间设置,防止上下桥臂直通问题。
  4. 支持多种输入逻辑电平,兼容3.3V和5V系统。
  5. 模块化设计便于集成到不同的电路中,. 板载调试接口,方便使用示波器或逻辑分析仪进行实时监控。
  7. 提供完整的文档支持,包括用户手册、原理图和参考设计。

应用

EVM3GSX50BQ3适用于以下典型应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的半桥和全桥拓扑结构。
  2. 电机驱动和控制领域,特别是BLDC(无刷直流电机)和PMSM(永磁同步电机)。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
  4. 工业自动化设备中的伺服驱动器。
  5. 高频谐振变换器以及其他需要高效功率转换的应用。
  6. 测试和验证新型栅极驱动器IC的性能。

替代型号

EVM3GSX51BQ3, EVM3GTX50BQ3

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