EVM3GSX50B33是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率转换模块,主要用于电源管理和功率变换场景。该模块采用了先进的GaN晶体管技术,具有高频开关能力、低导通电阻和高耐压性能,能够显著提高电源系统的效率并减小系统体积。
该模块通常应用于工业级电源、通信设备、服务器电源以及新能源汽车等领域,支持高频率工作,从而降低磁性元件的尺寸和重量,同时保持高效的功率传输。
型号:EVM3GSX50B33
额定电压:600 V
额定电流:33 A
导通电阻:12 mΩ
开关频率:最高可达2 MHz
封装形式:表面贴装
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
输入电容:3.5 nF
漏源极电荷量:90 nC
栅极驱动电压:4.5 V 至 6 V
EVM3GSX50B33的核心优势在于其使用了高性能的氮化镓场效应晶体管(GaN FET),使得其在高频工作时展现出优异的效率和散热表现。
主要特点包括:
- 高频开关能力:由于GaN材料的物理特性,该模块可以以高达2 MHz的频率运行,这比传统的硅基MOSFET高出许多倍。
- 低导通电阻:12 mΩ的低导通电阻减少了导通损耗,提高了整体效率。
- 快速开关速度:极短的开关时间降低了开关损耗,进一步提升了效率。
- 热性能优越:GaN技术结合优化的封装设计,使模块能够在高温环境下稳定运行。
- 小型化设计:由于高频操作和低损耗,允许使用更小的电感和电容组件,从而缩小整体系统尺寸。
EVM3GSX50B33适用于多种高要求的功率电子应用场景,包括但不限于以下领域:
- 工业电源:用于制造工厂中的高效AC-DC或DC-DC转换器。
- 数据中心和服务器电源:提供更高效率的供电解决方案,减少能源消耗。
- 新能源汽车:用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和逆变器等关键部件。
- 通信设备:为基站和路由器提供紧凑、高效的电源管理方案。
- 太阳能逆变器:帮助实现更高的能量转换效率,并支持快速动态响应。
EVM3GSX50B50
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