时间：2025/5/24 9:54:09
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EVM3ESX50B25是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、开关电路和高效能电子设备中。该芯片基于先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统效率并降低能耗。
该器件适用于多种工业和消费类电子产品领域，包括但不限于适配器、充电器、LED驱动器以及DC-DC转换器等应用。通过优化设计，EVM3ESX50B25在高频工作条件下依然可以保持出色的性能表现。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：50V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷(Qg)：45nC
输入电容(Ciss)：1200pF
反向恢复时间(trr)：80ns
工作温度范围(Ta)：-55°C至+175°C
EVM3ESX50B25具备多项卓越特性：
1. 极低的导通电阻可有效减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力使得其非常适合高频应用场合。
3. 良好的热稳定性和耐用性确保了长期可靠性。
4. 小型化封装有助于节省PCB空间，满足现代紧凑型设计需求。
5. 内置保护机制增强了系统的安全性和稳定性。
EVM3ESX50B25适用于以下主要应用：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具及家电产品的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统的负载切换控制。
4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
5. 各种便携式电子设备的电池管理系统(BMS)。
6. 高效LED照明解决方案中的驱动组件。
EVM3ESX50B20
EVM3ESX50B30
EVM3ESX60B25
