时间：2025/8/6 11:33:39
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EVDD430CI是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理和功率开关应用而设计，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性。EVDD430CI采用先进的Trench沟槽技术制造，能够实现较高的功率密度和较低的开关损耗，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电源管理系统等多种电源应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vds)：30V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：120A（在Vgs=10V时）
导通电阻(Rds(on))：最大8.5mΩ（在Vgs=10V时）
最大功耗(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：PowerPAK SO-8
EVDD430CI具有多项出色的电气性能和物理特性，使其适用于高性能电源系统。
首先，该MOSFET具有非常低的导通电阻（Rds(on)），典型值为8.5mΩ，在Vgs=10V条件下可支持高达120A的连续漏极电流，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
其次，EVDD430CI采用了先进的Trench沟槽结构技术，使得器件在保持高耐压能力的同时，拥有更小的芯片尺寸，从而实现更高的集成度和更小的封装体积。
此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为65nC，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，适用于高频开关电源设计。
EVDD430CI还具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在-55°C至+175°C的宽温度范围内稳定工作，适合在各种严苛环境条件下使用。
其采用的PowerPAK SO-8封装形式具有优良的热管理和电气性能，能够有效散热并确保器件在高负载条件下的稳定运行。
EVDD430CI广泛应用于需要高效能功率管理的电子设备中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、服务器和通信电源、电机驱动电路以及汽车电子系统等。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适用于需要高效率和小尺寸设计的电源转换系统。此外，EVDD430CI也适用于需要高频操作的开关电源（SMPS）设计，以减少外围元件体积并提高整体系统效率。
SiS430DN, SQ4304EL, FDS430BL, IRF430ZPBF
