时间：2025/12/25 16:10:26
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EV9910AA是一款由Everspin Technologies公司生产的高性能、非易失性磁阻随机存取存储器（MRAM）芯片。该器件结合了传统内存的高速访问特性与非易失性存储的优势，能够在断电后依然保留数据，适用于对数据完整性、持久性和写入耐久性要求极高的应用场景。EV9910AA采用标准的并行接口设计，兼容类似SRAM的操作时序，便于系统集成和替换传统易失性存储器。其核心基于Everspin独有的Toggle Mode MRAM技术，利用磁性隧道结（MTJ）实现数据存储，具有无限次的读写耐久性、快速写入速度以及出色的抗辐射和温度稳定性。该芯片广泛应用于工业控制、网络通信、航空航天、医疗设备及嵌入式系统等领域，特别是在需要频繁写入、高可靠性或恶劣环境运行的场合表现出色。EV9910AA提供多种封装形式，如TSOP和BGA，适应不同的PCB布局需求，并支持宽电压工作范围，增强了系统的灵活性和适应能力。此外，该器件无需备用电池即可实现数据持久化，降低了系统复杂性和维护成本。Everspin为EV9910AA提供了完整的开发支持，包括数据手册、应用指南和参考设计，帮助工程师快速完成产品设计和验证。
型号：EV9910AA
制造商：Everspin Technologies
存储容量：1Mb (128K x 8)
接口类型：并行异步接口
供电电压：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
读写耐久性：>10^15 次
数据保持时间：>20 年（在额定温度下）
写入时间：约 35ns
读取时间：约 35ns
封装类型：TSOP-II, 48-pin
EV9910AA的核心技术基于Everspin的Toggle Mode MRAM架构，这种技术通过改变磁性自由层的磁化方向来表示逻辑“0”或“1”，实现了真正意义上的非易失性存储。与传统的Flash或EEPROM相比，它无需擦除周期即可直接写入，极大地提升了写入效率和系统响应速度。其写入延迟仅为35纳秒左右，接近于静态RAM的性能水平，远优于NAND或NOR Flash的微秒甚至毫秒级写入时间。更重要的是，该器件具备近乎无限的写入耐久性，标称可承受超过10^15次的读写操作，彻底解决了Flash存储因寿命限制而导致的磨损问题，特别适合用于日志记录、状态保存、实时数据缓存等高频写入场景。
在可靠性方面，EV9910AA展现出卓越的环境适应能力。由于其数据存储机制不依赖电荷而是基于物理磁性状态，因此对电离辐射、电磁干扰和极端温度变化具有天然的免疫力，非常适合部署在航天电子、核设施监控或高海拔飞行器中。同时，该芯片在断电瞬间仍能确保正在进行的写操作完整完成，避免了数据损坏或文件系统崩溃的风险，从而显著提升系统的整体鲁棒性。
从系统集成角度看，EV9910AA采用类SRAM接口协议，支持CE#、WE#、OE#等标准控制信号，使得现有使用异步SRAM的硬件平台可以轻松进行替换升级，而无需修改控制器逻辑或增加额外的驱动程序。这不仅缩短了产品开发周期，也降低了迁移成本。此外，该器件无需外部电池或超级电容来维持数据，在绿色环保和维护便捷性上具有明显优势。Everspin还针对该系列器件优化了功耗管理，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长便携式或远程设备的电池寿命。
EV9910AA被广泛应用于多个高可靠性领域。在工业自动化中，常用于PLC控制器中的配置存储、工艺参数记录和故障日志保存，确保即使遭遇突发断电也能完整保留关键信息；在网络通信设备中，作为交换机或路由器的配置缓存和运行日志存储介质，提高系统重启速度和运维效率；在汽车电子特别是新能源和自动驾驶系统中，用于存储传感器校准数据、驾驶行为记录和安全事件日志，满足功能安全（如ISO 26262）对数据完整性的严苛要求；在航空航天与国防领域，因其抗辐射和宽温特性，被用于飞行控制系统、卫星遥测单元和军用通信终端的数据存储模块；此外，在医疗成像设备、测试测量仪器和智能电表中也有广泛应用，用于存储设备序列号、使用统计和校准系数等重要信息。
MR1A16AMS35
