时间：2025/8/4 22:42:13
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EV8010IMLTRT 是一款由 Everspin Technologies 生产的非易失性 MRAM（磁阻式随机存取存储器）芯片。与传统的DRAM或SRAM不同，EV8010IMLTRT 使用磁性隧道结（MTJ）技术，无需电力维持数据存储，具有高速、低功耗和无限次写入寿命的优势。该芯片采用48引脚QFN封装，适用于需要高可靠性和数据持久性的应用场合。
容量：1Mbit
组织方式：128K x 8
接口类型：异步SRAM兼容接口
工作电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：48引脚QFN
访问时间：55ns
读取电流：最大15mA
写入电流：最大25mA
EV8010IMLTRT 的核心优势在于其非易失性和卓越的耐用性。即使在断电情况下，数据也能永久保留，避免了传统电池备份的复杂性和潜在故障点。该芯片具备无限次写入寿命，避免了闪存的擦写次数限制问题，适用于频繁写入的应用场景。其异步SRAM兼容接口使得与现有系统集成变得简单，降低了硬件设计复杂度。此外，该芯片具有低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，非常适合对功耗敏感的设计。在可靠性方面，MRAM技术不受传统内存的磨损问题影响，适用于工业、汽车和航空航天等对高可靠性有严格要求的领域。
EV8010IMLTRT 被广泛应用于工业自动化系统，如PLC和数据采集设备，用于快速存储关键数据，避免断电导致的数据丢失。在汽车电子领域，它可用于事件数据记录器（EDR）或车载诊断系统，确保在发生故障或断电时仍然能够保存关键数据。此外，该芯片也适用于医疗设备、网络设备和智能电表等需要高可靠性数据存储的场景。其高速和非易失性特点使其成为替代传统EEPROM和SRAM的理想选择，尤其是在需要频繁写入和高可靠性的应用中。
MR48V1000MR48V1000CTR, ST-MRAM-1M
