EV8010ILPT 是一颗由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的低压差线性稳压器(LDO),专为需要高精度输出电压和低噪声特性的应用设计。该器件具有较高的电源抑制比(PSRR)和较低的静态电流,适用于便携式设备、电池供电系统以及需要稳定电压的模拟和射频电路。
类型:低压差线性稳压器(LDO)
输入电压范围:2.7V 至 5.5V
输出电压:固定为 1.0V
输出电流:最大 150mA
静态电流:典型值 50μA
电压精度:±2%
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:TDFN-6
EV8010ILPT 具备多项优良特性,确保其在各种应用环境下的稳定性和可靠性。首先,其低压差特性(典型值为 300mV @ 150mA)使其能够在输入电压接近输出电压的情况下仍保持稳定输出,从而提高能效并延长电池寿命。
其次,该 LDO 具有高电源抑制比(PSRR),在 1kHz 频率下可达 70dB 以上,有助于抑制输入电源中的噪声和纹波,提供更干净的输出电压,适用于对噪声敏感的模拟和射频电路。
此外,EV8010ILPT 还集成了多项保护功能,包括过流保护和过温保护,以防止器件在异常条件下损坏。其低静态电流(典型值为 50μA)进一步提升了在低功耗系统中的适用性。
该器件采用小型 TDFN-6 封装,节省 PCB 空间,适合用于空间受限的便携式电子设备中。
EV8010ILPT 主要应用于对电压稳定性要求较高的电子系统中,例如便携式消费电子产品、智能穿戴设备、无线传感器节点、电池管理系统、低噪声射频模块以及工业自动化和测量设备中的精密模拟电路。由于其优异的 PSRR 和低噪声性能,它也非常适合用于为 ADC、DAC、运算放大器等模拟 IC 提供电源。
NCP171ASN150T1G, TPS7A3301DDCR, MCP1703T-1002E/DB