时间：2025/6/22 5:58:49
阅读：4
ETQP4M470YFN是一款高耐压、低漏电流的MOSFET功率器件，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的工艺技术制造，具备出色的电气特性和可靠性。其封装形式为TO-263，具有良好的散热性能，适合于高功率密度的应用场景。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，通过栅极电压控制导通与关断，适用于直流到高频范围内的多种电路设计。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：4.7A
栅源电压：±20V
导通电阻：1.8Ω
总电容：1050pF
功耗：27W
工作温度范围：-55℃至175℃
ETQP4M470YFN的主要特点是高耐压和低导通电阻的结合，使其在开关应用中具有较低的损耗。此外，器件还具有以下优势：
1. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
2. 极低的输入和输出电荷，有助于提高开关速度。
3. 优化的热阻设计，确保长时间稳定运行。
4. 符合RoHS标准，环保且可靠。
这些特性使得该器件非常适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
该器件广泛应用于各种工业和消费类电子产品中，典型应用包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 各种负载切换和保护电路。
由于其高耐压和大电流能力，ETQP4M470YFN特别适合在高压环境中工作的设备。
IRF840, BUZ11, FDP077N50
