时间：2025/7/18 9:16:21
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ETQP4M2R2KVK 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能，能够在高频工作条件下提供稳定的性能。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，适用于需要高效能和低损耗的应用场景。其封装形式和电气特性使其成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
总功耗(Ptot)：150W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-247
ETQP4M2R2KVK 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用，减少磁性元件体积。
3. 出色的热稳定性，能够承受较高的结温，确保在恶劣环境下的可靠性。
4. 高雪崩击穿能量(AE)能力，增强了器件在异常条件下的耐受力。
5. 紧凑的封装设计，方便集成到各种电路板中。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
ETQP4M2R2KVK 的典型应用包括：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 各种 DC-DC 转换器，例如降压或升压转换器。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电模块。
6. 通信电源和 UPS 不间断电源系统。
IRFP2907, FDP5800, STP16NF06L
