时间：2025/5/23 3:16:07
阅读：11
ETQP3M2R2YFP是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适合于各种电源管理场景，例如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等。
这款MOSFET在设计上注重效率和性能优化，能够显著降低功耗并提升系统整体效率。同时，其封装形式经过精心设计，确保良好的散热性能，适用于紧凑型设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：2.4mΩ
栅极电荷：12nC
总电容：750pF
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流应用中减少传导损耗。
2. 快速开关性能，支持高频操作，有助于提高系统效率。
3. 小尺寸封装，适合空间受限的应用场景。
4. 高可靠性，具备优异的热稳定性和电气稳定性。
5. 栅极阈值电压适中，易于与逻辑电路配合使用。
6. 支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和组装。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统（BMS）
4. 汽车电子中的负载开关和电机控制
5. 工业设备中的电源管理和信号切换
6. 消费类电子产品中的高效功率转换模块
IRF7404, AO3400A, FDMQ8203
