时间：2025/7/5 4:02:32
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ETQP3M150KVN 是一款基于硅技术的高压功率 MOSFET，专为高效率和高性能应用而设计。该器件采用 TO-247 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合工业、汽车以及消费类电子领域中的电源管理解决方案。
这款 MOSFET 的额定电压为 1500V，适用于需要高耐压能力的应用场景，同时具备出色的热性能和可靠性，能够满足严苛的工作环境要求。
型号：ETQP3M150KVN
封装：TO-247
VDS（漏源极击穿电压）：1500 V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.2 Ω
ID（连续漏极电流）：3 A
Qg（栅极电荷）：45 nC
fT（特征频率）：20 kHz
VGS(th)（栅极阈值电压）：4 V
Tj（结温范围）：-55°C 至 +175°C
ETQP3M150KVN 具有以下显著特性：
1. 高额定电压 (1500V)，适合高压应用。
2. 极低的导通电阻 (RDS(on) = 1.2Ω)，从而降低传导损耗。
3. 较小的栅极电荷 (Qg = 45nC)，确保快速开关和高效运行。
4. 工作温度范围宽广 (-55°C 至 +175°C)，适应极端环境。
5. 提供可靠的雪崩能力和鲁棒性，以保护器件在异常条件下工作。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这些特性使 ETQP3M150KVN 成为各种高压开关应用的理想选择，例如 SMPS（开关模式电源）、电机驱动器和 DC/DC 转换器等。
ETQP3M150KVN 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的高压侧开关。
2. DC/DC 转换器，尤其是隔离式转换器。
3. 逆变器和变频器中的功率级控制。
4. 工业设备中的电机驱动电路。
5. 汽车电子系统中的负载切换。
6. UPS（不间断电源）和其他备用电源系统。
由于其高耐压和低导通电阻的特点，ETQP3M150KVN 在这些应用中表现出色，提供高效且稳定的性能。
ETQP3M150EVN, IRFP260N, STW14NM150
