时间：2025/6/26 16:37:50
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ETPF680M5H 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、低损耗的应用设计。该器件采用了先进的制程技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他功率转换场景。
ETPF680M5H 属于增强型 N 沟道 MOSFET，通过优化其栅极电荷和输出电容参数，能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.38Ω
栅极电荷：45nC
总电容：2300pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
ETPF680M5H 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，能够承受高达 650V 的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型条件下仅为 0.38Ω，从而减少了功率损耗。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷和输出电容，可以有效降低开关损耗。
4. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，使其能够在极端环境条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
ETPF680M5H 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 中的电池管理系统 (BMS)。
6. LED 照明驱动电路。
IRF640N
FDP5500
STP120NF06L
