电容值：820 pF
　　额定电压：35V
　　容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1812（4.5mm x 3.2mm）
　　介质材料：X7R
　　温度系数：±15%
　　损耗角正切（tanδ）：最大值0.025
　　绝缘电阻：≥10000MΩ
　　最大纹波电流：0.85A（100kHz）

ESMQ3B1VSN821MR45S 是一款高性能的多层陶瓷电容器，采用X7R介质材料，具有良好的温度稳定性和电容保持率。其在-55°C至+125°C的温度范围内，电容变化率控制在±15%以内，确保了在极端环境下的稳定性。该电容器的容差为±20%，适合对精度要求不是特别严格的场合。
　　这款电容器的额定电压为35V，能够承受较高的电压应力，适用于中高电压电路中的滤波、去耦和储能应用。其低等效串联电阻（ESR）和低损耗角正切（tanδ）特性，使得在高频应用中能够有效减少能量损耗和发热，提高整体系统的效率。
　　封装尺寸为1812（4.5mm x 3.2mm），适合表面贴装工艺（SMT），能够提供较高的空间利用率和良好的焊接可靠性。该尺寸适用于需要较高电容值且空间受限的应用场景，如电源管理模块、通信设备和汽车电子系统。
　　此外，ESMQ3B1VSN821MR45S 采用了环保材料，符合RoHS指令要求，适用于无铅工艺。其高绝缘电阻（≥10000MΩ）确保了在高压环境下的安全性，同时最大纹波电流为0.85A（100kHz），适用于需要承受一定纹波电流的场合。

ESMQ3B1VSN821MR45S 适用于多种电子设备和系统，尤其是在对电容稳定性、可靠性和空间利用率有较高要求的应用中。常见的应用场景包括：
　　1. 电源管理模块：用于DC-DC转换器、稳压器和滤波电路，提供稳定的电容支持，减少电压波动和噪声干扰。
　　2. 通信设备：在射频（RF）和中频（IF）电路中作为耦合电容或旁路电容，用于信号传输和噪声抑制。
　　3. 汽车电子系统：如车载导航、音响系统和发动机控制模块，适用于高温和高振动环境。
　　4. 工业控制系统：用于PLC、变频器和伺服驱动器中的滤波和储能电路，提高系统的稳定性和响应速度。
　　5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，适用于空间受限且需要高性能电容的场合。

EMK325B1105KG-T, GRM32ER71H104KA01L