类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（Id）：42A
　　漏极-源极电压（Vds）：150V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 15mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　功率耗散（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：表面贴装，TO-263（D2PAK）

ESMM421VSN151MN40S MOSFET 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在导通状态下的电阻极低，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频开关电源和电机控制应用。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动电压，兼容多种驱动器电路。其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，提高系统的整体能效。此外，ESMM421VSN151MN40S 还具备卓越的雪崩能量耐受能力，能够在突发短路或感性负载切换时提供更高的可靠性。
　　在封装方面，该 MOSFET 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，便于在 PCB 上安装，并提供良好的散热性能。这种封装形式也适用于自动化贴片工艺，适合大批量生产。

ESMM421VSN151MN40S 主要用于高功率密度的电源系统，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）和工业自动化设备中的功率开关电路。由于其低导通电阻和高效率特性，该 MOSFET 非常适合用于高效率电源适配器、电源模块和开关电源（SMPS）设计。
　　此外，该器件也可用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器、LED 照明驱动器以及各种需要高效能功率开关的场合。在汽车电子领域，它可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统等应用。

SiHH421BN，IRF1421，FDP15N420，IPW90R150CISTR