类型：MOSFET 模块
　　最大漏极电流（Id）：300 A
　　漏源极最大电压（Vds）：1200 V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.75 mΩ（典型值）
　　封装类型：双面散热封装（DSH）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　栅极电荷（Qg）：150 nC（典型值）
　　短路耐受能力：600 A（10 μs）
　　热阻（Rth）：0.15 K/W（结到外壳）
　　绝缘等级：符合 UL 94 V-0 标准
　　安装方式：螺钉安装

ESMM3B1VSN271MN45S 是一款采用先进 SiC（碳化硅）技术的 MOSFET 模块，具有极低的导通电阻和开关损耗，适用于高频、高效率的电力转换应用。其双面散热封装（DSH）设计显著提高了热管理效率，使模块能够在高功率密度下稳定运行。模块内部集成了多个 MOSFET 芯片，并采用并联结构以提高电流承载能力。其高耐压能力和优异的短路耐受性能使其在恶劣工作环境下仍能保持稳定。
　　该模块的封装材料具有优良的绝缘性能和机械强度，能够承受高温和机械应力。模块的引脚设计优化了电磁干扰（EMI）性能，减少了高频开关带来的噪声。此外，模块还具备良好的热循环稳定性和长期可靠性，适合应用于电动汽车、工业变频器、可再生能源系统等高要求领域。
　　在驱动方面，该模块对栅极驱动电路的要求较低，能够与标准的 MOSFET 或 IGBT 驱动器兼容。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。同时，模块内部的芯片布局优化了寄生电感，有助于提升动态性能。

ESMM3B1VSN271MN45S 主要应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。例如，电动汽车的电机控制器、车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器；工业伺服驱动器、变频器和逆变器；太阳能逆变器和储能系统等。此外，该模块也可用于不间断电源（UPS）、焊接设备和感应加热系统等高功率应用中。由于其优异的热性能和电气性能，特别适合在空间受限、散热要求高的系统中使用。

SiC MOSFET 模块如 Cree/Wolfspeed 的 C3M0065065K、Infineon 的 IMZA65R027M1H、STMicroelectronics 的 SCT30N120AM2AG。