工作电压（Max.）：18V
　　钳位电压（Typ.）：35V
　　最大峰值电流（IPP）：1A
　　电容（Typ.）：18pF
　　封装尺寸：0402（1.0×0.5mm）
　　温度范围：-55°C～+125°C

ESMM3B1VSN181MN35S 的核心特性之一是其优异的瞬态电压抑制能力，能够在极短的时间内将过电压钳制在安全范围内，从而保护下游电路不受损坏。该器件的响应时间通常在纳秒级别，适用于对静电放电（如IEC 61000-4-2标准）具有高要求的应用场景。此外，其内部结构采用多层陶瓷技术，使得器件在承受多次浪涌冲击后仍能保持稳定性能，具有良好的耐久性和长期可靠性。
　　另一个显著特性是其小型化设计。该压敏电阻采用0402封装，适用于高密度PCB布局，特别适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。同时，其低电容特性（通常为18pF）使其适用于高速数据线路的保护，不会对信号完整性造成显著影响。
　　ESMM3B1VSN181MN35S 还具有优良的温度稳定性，在-55°C至+125°C的宽温度范围内性能稳定，适应各种严苛的工作环境。此外，该器件具有良好的焊接稳定性和抗热冲击能力，适合自动化贴片工艺。

ESMM3B1VSN181MN35S 主要用于需要静电放电（ESD）保护的电子设备中，如智能手机、平板电脑、数码相机等便携式电子产品。它常用于USB接口、HDMI接口、音频/视频接口等高速数据线路的保护，以防止因静电放电或外部浪涌电压造成的损坏。此外，该器件也广泛应用于无线通信模块、蓝牙设备、Wi-Fi模块以及工业控制设备中的信号线和电源线保护。
　　在汽车电子系统中，ESMM3B1VSN181MN35S 也可用于车载信息娱乐系统（IVI）、摄像头模块、传感器接口等电路的ESD保护。由于其低电容特性，它在高速信号传输路径中不会引入显著的插入损耗，因此非常适合用于USB 2.0、HDMI 1.4等高速接口的保护电路中。

Littelfuse ESD0P2RF50B-01G、STMicroelectronics ESDALC6V1-1BF2、Yageo MLN2018DR181TF