类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　容量：820 pF
　　容差：±20%
　　额定电压：221 V（200 V DC）
　　电介质材料：Class 1, C0G（NP0）
　　尺寸：1812（4532 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装：卷带式（Tape and Reel）

ESMM221VSN821MQ45S 是一款基于 C0G（NP0）电介质的高精度多层陶瓷电容器，其电容值随温度变化极小，具有出色的稳定性。这种电容器的容差为 ±20%，适合对电容值精度要求不极端的应用场景。其额定电压为 221 V，允许在高达 200 V 的直流电压下稳定运行，适用于中高压电路设计。尺寸为 1812（约 4.5 mm x 3.2 mm），适用于表面贴装工艺，便于在 PCB 上集成。由于采用了高质量的陶瓷材料和多层结构设计，该电容器具有较低的介电吸收和高绝缘电阻，适合用于高精度模拟电路、滤波器和定时电路等对性能要求较高的场合。此外，其宽工作温度范围（-55°C 至 +125°C）确保在恶劣环境条件下仍能稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。卷带式封装使其适合自动化生产和批量贴装，提升了生产效率。

ESMM221VSN821MQ45S 主要用于需要高稳定性和可靠性的电路中，如电源滤波电路、射频（RF）电路、精密模拟电路、定时电路和振荡器电路等。其适用于工业设备、汽车电子系统、消费电子产品以及通信设备等领域，特别适合需要在中高压条件下稳定工作的应用。由于其 C0G（NP0）电介质的温度稳定性，该电容器也广泛用于高精度滤波和信号处理系统。

C0805C820K200T, CL21B820KBBNNNE