容量：8 Mbit
　　组织方式：1M x 8
　　接口类型：异步SRAM兼容接口
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　访问时间：35 ns
　　读取电流：10 mA（典型值）
　　写入电流：15 mA（典型值）

ESMI-3ICL0836M01-T 的主要特性之一是其非易失性存储能力，这意味着它在断电时不会丢失数据，与传统的易失性静态随机存取存储器（SRAM）不同。该芯片的读写速度非常快，具有类似于SRAM的访问时间，适用于需要快速响应的应用。其异步SRAM兼容接口简化了与现有系统的集成，使得MRAM能够无缝替代传统的SRAM或Flash存储器。
　　此外，该器件具有出色的耐久性和数据保持能力，可承受超过10^12次读写操作，极大地延长了存储器的使用寿命。它在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行，适用于严苛的工业和汽车环境。芯片内置的自动电源管理功能有助于降低功耗，提升系统能效。这种低功耗特性也使其成为电池供电设备或需要节能设计的系统的理想选择。
　　另一个显著优势是其无需刷新操作，避免了传统DRAM中常见的刷新周期导致的延迟问题。这不仅提高了系统性能，还简化了存储控制器的设计。整体来看，ESMI-3ICL0836M01-T 提供了高性能、高可靠性与低功耗相结合的存储解决方案，适用于各种高端嵌入式应用。

由于其非易失性、高速度和高耐久性，ESMI-3ICL0836M01-T 被广泛应用于需要可靠数据存储和快速访问的系统中。例如，在工业自动化设备中，它可以用于存储关键的运行数据和配置信息，即使在断电后也能保持数据完整性。在通信设备中，该芯片可作为高速缓存或临时数据存储单元，提升数据传输和处理效率。
　　汽车电子系统是该芯片的另一个重要应用领域，包括车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统和车载诊断设备等。其宽温度范围和抗振动能力使其适合在复杂车载环境中运行。此外，该芯片也适用于医疗设备、军事和航空航天系统，用于存储关键数据或程序代码，确保在极端条件下的系统稳定性。
　　在物联网（IoT）设备和边缘计算系统中，ESMI-3ICL0836M01-T 可作为非易失性缓存，实现快速启动和低功耗运行。其SRAM兼容接口使其能够轻松替换现有系统中的传统存储器，从而提升整体性能和可靠性。

MR48V1M8A35C SO-RFBA1 Everspin
　　MR48V1M8A35CSE0 Everspin
　　ESDI-3ICL0836M01-T Everspin