时间：2025/9/7 8:56:57
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ESMI-2IB1880M11-T是一款由Everspin Technologies制造的非易失性磁阻式随机存取存储器（MRAM）芯片。MRAM技术结合了传统DRAM的速度和闪存的非易失性优点，使其成为适用于高性能和高可靠性应用的理想选择。该芯片特别适用于需要快速写入、数据持久性和高耐久性的场景，例如工业控制、网络设备、航空航天和汽车电子等领域。
容量：18Mbit
组织结构：256K x 72位
接口类型：QDR-II SRAM兼容接口
工作电压：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：165-TFBGA
最大访问时间：800MHz
数据保持时间：无限
读写耐久性：10^15次循环
非易失性数据保持：超过20年
ESMI-2IB1880M11-T具备高速读写能力，其QDR-II接口支持独立的读写端口，使得同时进行读写操作成为可能，大大提高了系统性能。由于其MRAM技术不依赖电荷存储，因此不存在传统DRAM的刷新需求，同时具备更高的抗辐射能力，适合在极端环境下使用。该芯片还具有极高的耐久性，可承受高达10^15次读写循环，远远超过传统存储器的寿命限制。此外，其非易失性特性确保在断电情况下数据不会丢失，无需使用备用电源或电池，从而简化了系统设计并提高了可靠性。
该芯片的封装形式为165-TFBGA，适用于空间受限的应用，并具有良好的热管理和机械稳定性。其宽广的工作电压范围（2.3V至3.6V）使其兼容多种电源设计，提高了设计灵活性。工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级和部分军用级应用的要求。
该芯片广泛应用于需要高可靠性、高速度和数据持久性的场合，例如工业自动化控制系统、路由器和交换机等通信设备、航空电子系统、车载信息娱乐系统、智能电表以及高端服务器等。在这些应用中，ESMI-2IB1880M11-T可以作为快速非易失性存储器用于缓存关键数据、实时日志记录、系统配置存储以及快速启动机制。
MR20H80CBSNA1T、ZMR38080BSC2ZLI、MRAM-256K-QDR
