ESMI-2IB1880M11-T是一款由Everspin Technologies制造的非易失性磁阻式随机存取存储器(MRAM)芯片。MRAM技术结合了传统DRAM的速度和闪存的非易失性优点,使其成为适用于高性能和高可靠性应用的理想选择。该芯片特别适用于需要快速写入、数据持久性和高耐久性的场景,例如工业控制、网络设备、航空航天和汽车电子等领域。
容量:18Mbit
组织结构:256K x 72位
接口类型:QDR-II SRAM兼容接口
工作电压:2.3V至3.6V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:165-TFBGA
最大访问时间:800MHz
数据保持时间:无限
读写耐久性:10^15次循环
非易失性数据保持:超过20年
ESMI-2IB1880M11-T具备高速读写能力,其QDR-II接口支持独立的读写端口,使得同时进行读写操作成为可能,大大提高了系统性能。由于其MRAM技术不依赖电荷存储,因此不存在传统DRAM的刷新需求,同时具备更高的抗辐射能力,适合在极端环境下使用。该芯片还具有极高的耐久性,可承受高达10^15次读写循环,远远超过传统存储器的寿命限制。此外,其非易失性特性确保在断电情况下数据不会丢失,无需使用备用电源或电池,从而简化了系统设计并提高了可靠性。
该芯片的封装形式为165-TFBGA,适用于空间受限的应用,并具有良好的热管理和机械稳定性。其宽广的工作电压范围(2.3V至3.6V)使其兼容多种电源设计,提高了设计灵活性。工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级和部分军用级应用的要求。
该芯片广泛应用于需要高可靠性、高速度和数据持久性的场合,例如工业自动化控制系统、路由器和交换机等通信设备、航空电子系统、车载信息娱乐系统、智能电表以及高端服务器等。在这些应用中,ESMI-2IB1880M11-T可以作为快速非易失性存储器用于缓存关键数据、实时日志记录、系统配置存储以及快速启动机制。
MR20H80CBSNA1T、ZMR38080BSC2ZLI、MRAM-256K-QDR