电容值：3.3 pF
　　容差：±0.1 pF
　　额定电压：50 V
　　温度系数：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0402（1.0 mm x 0.5 mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）

ESMG401ETD3R3MJC5S 是一款高精度多层陶瓷电容器，采用 C0G（NP0）介质材料，具有极低的温度漂移系数（通常为 0 ppm/°C），确保了在不同温度条件下电容值的稳定性。
　　其容差为 ±0.1 pF，适用于对精度要求极高的射频和高频电路应用。
　　该器件的额定电压为 50 V，能够在较宽的工作温度范围（-55°C 至 +125°C）内保持稳定的电气性能。
　　封装尺寸为 0402（1.0 mm x 0.5 mm），符合现代电子设备对小型化和高密度布局的需求。
　　此外，该电容器具有低插入损耗和高 Q 值，非常适合用于射频滤波器、振荡器和谐振电路等高频应用。
　　其陶瓷介质和多层结构设计也提供了良好的机械强度和抗湿热性能，增强了器件在恶劣环境中的可靠性。

ESMG401ETD3R3MJC5S 多层陶瓷电容器广泛应用于射频（RF）和微波电路，如射频滤波器、匹配网络、振荡器和谐振电路。
　　由于其高稳定性和低损耗特性，它也常用于无线通信设备中的天线调谐和信号路径耦合。
　　在消费类电子产品中，该电容器适用于高精度定时电路和高频信号处理模块。
　　此外，该器件还可用于工业控制系统的高频采样电路、精密测量仪器和医疗设备中的高频信号调理部分。
　　其优异的温度稳定性和小型化设计也使其成为汽车电子系统中高频率控制模块的理想选择。

GRM0225C1H3R3BB01D, C1005C0G1H3R3B050BA, CL05C3R3BCN