供电电压：2.7V至5.5V
　　隔离电压：3.75kVrms
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　数据传输速率：最大100Mbps
　　输入逻辑电平：兼容CMOS/TTL
　　输出驱动能力：8mA（典型值）
　　封装类型：16引脚SOIC
　　通道数量：4通道
　　绝缘材料：二氧化硅（SiO2）

ESI-4DCL0836M01-T采用先进的电容耦合技术，实现输入和输出之间的电气隔离。其高隔离电压（3.75kVrms）确保了在高压环境下仍能安全可靠地工作。芯片的四通道设计支持多路信号的同步传输，适用于复杂的数字控制和数据通信系统。
　　该芯片具有良好的抗电磁干扰（EMI）能力，能够在工业环境中稳定运行。其宽工作温度范围（-40°C至+125°C）使其适用于极端环境条件下的应用，如高温或低温环境下的工业设备和汽车电子系统。
　　ESI-4DCL0836M01-T的低功耗特性使其适用于对功耗敏感的应用，如便携式设备和电池供电系统。其CMOS/TTL兼容的输入逻辑电平使其能够轻松与各种数字电路连接，提高了系统的兼容性和灵活性。
　　此外，该芯片的16引脚SOIC封装设计提供了良好的散热性能和空间利用率，适合高密度电路板布局。其8mA的输出驱动能力确保了对后续电路的可靠驱动。

ESI-4DCL0836M01-T广泛应用于工业自动化系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、工业传感器和执行器的信号隔离。在电源管理系统中，该芯片可用于隔离不同的电源域，确保系统的安全性和稳定性。
　　在电机控制领域，该芯片可用于隔离控制信号，防止电机产生的高压干扰影响控制系统。在通信系统中，该芯片可用于隔离不同的通信模块，提高系统的抗干扰能力和可靠性。
　　此外，该芯片还可用于医疗设备、测试仪器和汽车电子系统中的信号隔离应用，确保设备在高压环境下的安全运行。

SI8442BD-B-IS1R, ADuM140E0BRIZ-RL7, ISO7741EVM, BSI414U-3E