类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：90A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.7mΩ（典型值，具体取决于测试条件）
　　封装形式：TO-220或类似功率封装
　　工作温度范围：-55°C至175°C

ESHSC090T MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，从而提高系统效率。其沟槽式设计优化了载流子流动路径，提升了导电性能。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的耐压能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于恶劣的工作环境。其高栅极绝缘强度（±20V VGS）也增强了抗干扰能力，使MOSFET在高频开关应用中表现更加稳定。
　　该MOSFET的封装形式通常为TO-220，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上，适用于中高功率应用。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。这些特性使ESHSC090T成为高性能电源管理和功率转换系统中的理想选择。

ESHSC090T广泛应用于各种高功率电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及电动车电源控制系统等。
　　由于其低导通电阻和优异的开关性能，该MOSFET特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换电路。例如，在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中，ESHSC090T可以作为主开关器件，提高能效并降低发热；在电动车或储能系统的电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制，确保能量传输的高效性和稳定性。
　　此外，该MOSFET还可用于高性能音频放大器的电源部分，为音频系统提供干净、稳定的电源供应，提升整体音质表现。

TKA90N30K3,TN090N30K3