时间：2025/9/7 15:04:40
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ESHS-P085DR 是一款由 EVERLIGHT（亿光电子）制造的红外线发射二极管（Infrared Emitting Diode, IRED）。该器件广泛用于遥控、光电传感器、红外通信、接近感应和安防系统等应用场景。其封装形式为直插式（Through Hole），具备良好的发光效率和稳定性，适用于多种工业和消费电子设备。该器件采用 GaAlAs（磷化镓铝砷）材料制成，具有较长的使用寿命和较强的抗干扰能力。
工作电压：1.2V - 1.8V
正向电流：100mA（最大）
反向电压：5V
发射波长：850nm（典型值）
光功率输出：120mW/sr（典型值）
视角：±15°
封装类型：直插式（THT）
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
存储温度范围：-40°C 至 +100°C
ESHS-P085DR 是一款高亮度红外发射二极管，其核心材料为 GaAlAs，具备较高的发光效率和稳定的红外输出。该器件的发射波长为 850nm，接近人眼不可见光范围，适用于多种红外感应和通信场景。其封装形式为直插式，便于在 PCB 板上安装和焊接。器件具有较宽的工作温度范围，可在 -25°C 至 +85°C 的环境下稳定运行，适用于工业控制、家电遥控、安防摄像头红外补光等应用。
此外，该红外发射管具有较低的正向电压降和较高的光功率输出，确保在较低功耗下仍能提供良好的红外辐射能力。其 ±15° 的视角设计有助于集中红外光束，提高接收端的信号识别率。器件具备良好的抗静电能力和热稳定性，适用于自动化生产流程，并可在各种恶劣环境下长期使用。
该红外发射二极管广泛应用于家电遥控器、红外线传感器、自动门控制系统、红外线摄像机补光、烟雾探测器、光学开关、安防监控设备以及工业自动化控制等领域。
TSAL6200, IR333C-A, SFH415-E, L-850P-003, QED123
