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ESE23J101 发布时间 时间:2025/7/1 8:37:30 查看 阅读:6

ESE23J101是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著提升系统的整体性能。
  其设计优化了动态特性与静态特性之间的平衡,使得它在高频工作条件下仍然保持较低的损耗。此外,该器件还具备出色的热稳定性和可靠性,适合多种工业及消费类电子应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):80A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):75nC
  总功耗(Ptot):150W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃

特性

ESE23J101的主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 内置ESD保护功能,增强了芯片的抗静电能力。
  4. 良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保证正常运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅封装。
  6. 提供卓越的可靠性和长寿命表现。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 各种类型的DC-DC转换器设计。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  5. 汽车电子系统中的电池管理模块。
  6. 其他需要高效功率处理的应用领域。

替代型号

ESE23J102, IRFZ44N, FDP55N06L

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ESE23J101参数

  • 接点配置:SPDT-NO
  • 开关端子:表面安装
  • 联系我们当前最大:10mA
  • 接触电压直流喃:5V
  • 操作力:0.3N
  • 外部高度:1.5mm
  • 外宽:4.15mm
  • 外部深度:5mm
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)