时间：2025/6/25 23:36:38
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ESDU5V0N2 是一款基于超结技术的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效能和高耐压的场景。这款器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，能够在高频条件下保持高效的功率转换。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：2.1A
导通电阻：1.3Ω
栅极电荷：45nC
输入电容：1250pF
开关速度：快速
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
ESDU5V0N2 利用超结技术显著降低了导通电阻，从而提高了效率并减少了功率损耗。
该器件具备优秀的雪崩能力和鲁棒性，可以在恶劣的工作环境下稳定运行。
其快速开关特性使得它非常适合高频应用，能够有效降低开关损耗。
同时，ESDU5V0N2 具有较低的栅极电荷，简化了驱动电路设计，并进一步提升了系统的整体效率。
在封装方面，TO-220 提供了良好的散热性能，适合多种功率级别的应用需求。
ESDU5V0N2 广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动、不间断电源（UPS）以及其他需要高电压、低损耗和快速开关能力的电力电子设备中。
其优异的性能使其成为工业控制、消费电子及汽车电子领域的理想选择。
ESD50U2N2, FDP5600, IRFB4110
