时间：2025/7/1 22:47:05
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ESDQR33V3S 是一款高性能的 TVS (瞬态电压抑制器) 芯片，主要用于保护电子设备免受静电放电 (ESD)、浪涌和其他瞬态电压脉冲的影响。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低电容、快速响应时间和高钳位能力等特点，广泛应用于高速数据线保护场景。
该芯片通常用于 USB、HDMI、以太网以及其他高速接口电路中，能够有效抑制瞬态过电压并保护敏感的下游元器件。
类型：TVS二极管
工作电压（Vw）：3.3V
击穿电压（Vbr）：4.2V
最大箝位电压（Vc）：6.8V
峰值脉冲电流（Ipp）：1A
电容（Ct）：0.1pF
响应时间：0.7ps
封装：SOT-363
ESDQR33V3S 具备以下显著特点：
1. 快速响应时间：仅为 0.7ps，可迅速抑制瞬态过电压，从而最大限度地减少对敏感电路的损害。
2. 极低电容：电容仅为 0.1pF，几乎不会影响信号完整性，非常适合高速数据传输应用。
3. 高可靠性：通过了 IEC61000-4-2 标准测试，支持±30kV 的空气放电和±30kV 的接触放电保护。
4. 小型化设计：采用 SOT-363 封装，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计需求。
5. 宽温范围：能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境条件。
该芯片适用于多种需要 ESD 和浪涌保护的应用场合，包括但不限于：
1. USB 2.0/3.0 数据线保护
2. HDMI 接口保护
3. 以太网 PHY 保护
4. 移动设备射频前端保护
5. 汽车电子系统的高速通信总线保护
其卓越的性能使其成为消费类电子产品、工业设备以及汽车电子领域中的理想选择。
PESD3V3R1BHT, SM712, SMP33A-CT
