时间：2025/7/10 20:10:42
阅读：10
ESDN2L0603C24V01R 是一种基于氮化镓（GaN）技术的电子开关器件，广泛应用于高频、高效能要求的场景中。该型号属于EPC公司的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），具有极低的导通电阻和快速开关速度，适合用于电源转换、DC-DC转换器、负载开关以及高频射频应用等场合。
其设计旨在取代传统的硅基MOSFET，在效率、尺寸和性能方面有显著提升。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：8A
导通电阻：24mΩ
栅极电荷：3nC
输入电容：560pF
输出电容：90pF
反向恢复时间：无（因无反向恢复电荷特性）
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 使用氮化镓材料制造，提供更高的功率密度和更低的导通损耗。
2. 极低的导通电阻确保在高电流应用中减少发热，提高系统效率。
3. 高速开关性能支持MHz级别的工作频率，适用于高频电路设计。
4. 无反向恢复电荷特性，降低开关损耗并改善电磁干扰表现。
5. 小型化的芯片级封装（CSP）设计，节省PCB空间，非常适合便携式设备或高密度布局需求。
1. 高效DC-DC转换器设计。
2. 各类电源管理模块中的负载开关。
3. 高频AC-DC转换器及PFC（功率因数校正）电路。
4. 无线充电发射端与接收端的功率传输控制。
5. 激光雷达（LiDAR）驱动及高频脉冲生成电路。
6. 射频功放及高速信号切换领域。
ESDN2L0603C26V01R
